Тестування підсилювача MOSFET 200W. Вимірювання, характеристики
| Тестований пристрій | Підсилювач MOSFET 200W |
| Режим роботи | 24-bit, 48 kHz |
| Звуковий інтерфейс | E-MU1616m |
| Маршрут сигналу | E-MU1616m>Підсилювач MOSFET 200W>E-MU1616m |
| Напруга живлення постійна | -52В...0...+52В |
| Навантаження | 4 Ом |
| Потужність при тестуванні | 150Вт |
| Максимальна потужність | 204Вт |
| Вихідні транзистори | IRFP250N |
| Струм спокою | 150mA |
| Фільтр 20 Гц - 20 кГц | ТАК |
| Нормалізація сигналу | ТАК |
| Зміна рівня | -0.4 дБ / -0.4 дБ |
| Режим МОНО | ТАК |
| Частота сигналу калибрації, Гц | 1000 |
| Полярність | вірна/вірна |
Загальні результати
| Нерівномірність АЧХ (в диапазоні 40 Гц - 15 кГц), дБ | +0.02, -0.12 |
Дуже добре |
| Рівень шуму, дБ (А) | -107.9 |
Відмінно |
| Динамічний діапазон, дБ (А) | 108.0 |
Відмінно |
| Гармонійні спотворення, % | 0.021 |
Добре |
| Гармонійні спотворення + шум, дБ(A) | -70.9 |
Середньо |
| Інтермодуляційні спотворення + шум, % | 0.015 |
Дуже добре |
| Інтермодуляції на 10 кГц, % | 0.137 |
Середньо |
| Загальна оцінка | Дуже добре |
Частотна характеристика
Лівий |
Правий |
|
| Від 20 Гц до 20 кГц, дБ | -0.24, +0.02 |
-0.24, +0.02 |
| Від 40 Гц до 15 кГц, дБ | -0.12, +0.02 |
-0.12, +0.02 |
Рівень шуму
Лівий |
Правий |
|
| Потужність RMS, дБ | -94.7 |
-94.7 |
| Потужність RMS, дБ (A) | -107.9 |
-107.9 |
| Піковий рівень, дБ | -81.8 |
-81.8 |
| Зсув DC, % | -0.0 |
-0.0 |
Динамічний діапазон
Лівий |
Правий |
|
| Динамічний діапазон, дБ | +94.7 |
+94.7 |
| Динамічний діапазон, дБ (А) | +108.0 |
+108.0 |
| Зсув DC, % | +0.00 |
-0.00 |
Гармонійні спотворення + шум (-3 дБ)
Лівий |
Правий |
|
| Гармонійні спотворення, % | 0.02116 |
0.02116 |
| Гармонійні спотворення + шум , % | 0.02167 |
0.02167 |
| Гармонійні спотворення + шум (A-зваж.), % | 0.02835 |
0.02835 |
Інтермодуляційні спотворення
Лівий |
Правий |
|
| Інтермодуляційні спотворення + шум, % | 0.01514 |
0.01514 |
| Інтермодуляційні спотворення + шум (A-зваж.), % | 0.01112 |
0.01112 |
Інтермодуляційні спотворення (змінна частота)
Лівий |
Правий |
|
| Інтермодуляційні спотворення + шум на 5000 Гц, | 0.04832 |
0.04832 |
| Інтермодуляційні спотворення + шум на 10000 Гц, | 0.11112 |
0.11112 |
| Інтермодуляційні спотворення + шум на 15000 Гц, | 0.25220 |
0.25220 |
Максимальна потужність
Формула розрахунку |
Значення |
|
| Максимальна потужність, Вт | (Vrms x Vrms) / 4 Ohm |
204 |
Висновки
| З моменту приходу та розвитку підсилювачів на потужних біполярних транзисторах пройшло чимало часу. За цей час
технологія виготовлення потужних польових транзисторів також дуже просунулась вперед і в нашому житті, є цілі
області побутової та промислової електроніки, яка без польових транзисторів просто неможлива. Зі зростанням рівня
та якості потужних польових (силових) транзисторів все більше радіоаматорів намагалися застосувати їх у вихідних
каскадах своїх розробок. В результаті ці спроби увінчалися успіхом, і застосування силових польових транзисторів в
підсилювачах зустрічається не тільки в саморобних розробках, а й у промислових пристроях досить високого рівня.
Резюме: Підсилювач побудований як дешевша версія знаменитого і багатьом улюбленого підсилювача Ланзар. Причому, не дивлячись на певні недоліки польових транзисторів, вони також мають ряд переваг перед польовими: 1. ПТ витримує помітно великі імпульсні навантаження, точніше перевантаження. 2. Відсутність вхідних струмів, у ряді випадків, дозволяє значно спростити каскади, що розгойдують. 3. Параметри менш залежні від температури, до того ж у них велика лінійна ділянка передавальної характеристики. Додатково слід зазначити, що підсилювач побудований саме на квазікомплементарних транзисторах IRFP250N, оскільки N-канальні прилади завдяки особливостям виробництва є більш якісними транзисторами порівняно з їх P-канальними аналогами, причому ця тенденція спостерігається навіть у комплементарних парах. Купити модуль можна у нас у магазині kit-amp.com. Модуль рекомендується для побудови високоякісного та потужного підсилювача потужності, і як доступнішу альтернативу підсилювачу ЛАНЗАР на біполярних вихідних транзисторах. |
Супутні товари
Підсилювач MOSFET AUDIOPHILE Premium, 200W
Модуль підсилювача підвищеної потужності, високого рівня та якості Premium. Підсилювач розроблений спеціально для «досвідчених» любителів якісного аудіо із застосуванням польових транзисторів також дл..
3960.00грн.
Підсилювач LANZAR, 200W
Підсилювач «Ланзар» побудований за класичною симетричною схемою, попередні каскади якого працюють у класі А, а вихідний каскад у класі АВ.Схема даного підсилювача відома ще з 80-х років, проте широке ..
2960.00грн.
Підсилювач MOSFET, 200W
Після підвищення якості силових МОСФЕТ транзисторів та зниження їхньої ціни, величезна частина радіоаматорів почала замислюватися про застосування даних транзисторів у вихідних каскадах підсилювачів. ..
2260.00грн.
Схожі статті
Методика вимірювань
Будь-який, більш-менш складний електронний пристрій потребує перевірки працездатності і налагодженняПідсилювач потужності звукової частоти не є винятком і вимірювання характеристик даного пристрою є н..
Підсилювач LANZAR 200W, вимірювання
Тестований пристрій Підсилювач LANZAR 200W Режим роботи 24-bit, 48 kHz Звуковий інтерфейс E-MU1616m Маршрут сигналу E-MU1616m>Підсилювач LANZAR 200W>E-MU161..
Підсилювач MOSFET 100W, вимірювання
Тестований пристрій Підсилювач MOSFET 100W Режим роботи 24-bit, 48 kHz Звуковий інтерфейс E-MU1616m Маршрут сигналу E-MU1616m>Підсилювач MOSFET 100W>E-MU161..
Підсилювач MOSFET 500W, вимірювання
Тестований пристрій Підсилювач MOSFET 500W Режим роботи 24-bit, 48 kHz Звуковий інтерфейс E-MU1616m Маршрут сигналу E-MU1616m>Підсилювач MOSFET 500W>E-MU161..