Тестування підсилювача MOSFET 100W. Вимірювання, характеристики
| Тестований пристрій | Підсилювач MOSFET 100W |
| Режим роботи | 24-bit, 48 kHz |
| Звуковий інтерфейс | E-MU1616m |
| Маршрут сигналу | E-MU1616m>Підсилювач MOSFET 100W>E-MU1616m |
| Напруга живлення постійна | -43В...0...+43В |
| Навантаження | 4 Ом |
| Потужність при тестуванні | 80Вт |
| Максимальна потужність | 138Вт |
| Вихідні транзистори | IRFP250N |
| Струм спокою | 150mA |
| Фільтр 20 Гц - 20 кГц | ТАК |
| Нормалізація сигналу | ТАК |
| Зміна рівня | -0.2 дБ / -0.2 дБ |
| Режим МОНО | ТАК |
| Частота сигналу калибрації, Гц | 1000 |
| Полярність | вірна/вірна |
Загальні результати
| Нерівномірність АЧХ (в диапазоні 40 Гц - 15 кГц), дБ | +0.02, -0.16 |
Дуже добре |
| Рівень шуму, дБ (А) | -107.1 |
Відмінно |
| Динамічний діапазон, дБ (А) | 107.1 |
Відмінно |
| Гармонійні спотворення, % | 0.043 |
Добре |
| Гармонійні спотворення + шум, дБ(A) | -65.2 |
Середньо |
| Інтермодуляційні спотворення + шум, % | 0.040 |
Добре |
| Інтермодуляції на 10 кГц, % | 0.052 |
Добре |
| Загальна оцінка | Добре |
Частотна характеристика
Лівий |
Правий |
|
| Від 20 Гц до 20 кГц, дБ | -0.24, +0.02 |
-0.24, +0.02 |
| Від 40 Гц до 15 кГц, дБ | -0.16, +0.02 |
-0.16, +0.02 |
Рівень шуму
Лівий |
Правий |
|
| Потужність RMS, дБ | -97.6 |
-97.6 |
| Потужність RMS, дБ (A) | -107.1 |
-107.1 |
| Піковий рівень, дБ | -77.6 |
-77.6 |
| Зсув DC, % | -0.0 |
-0.0 |
Динамічний діапазон
Лівий |
Правий |
|
| Динамічний діапазон, дБ | +97.7 |
+97.7 |
| Динамічний діапазон, дБ (А) | +107.1 |
+107.1 |
| Зсув DC, % | +0.00 |
-0.00 |
Гармонійні спотворення + шум (-3 дБ)
Лівий |
Правий |
|
| Гармонійні спотворення, % | 0.04299 |
0.04299 |
| Гармонійні спотворення + шум , % | 0.04349 |
0.04349 |
| Гармонійні спотворення + шум (A-зваж.), % | 0.05520 |
0.05520 |
Інтермодуляційні спотворення
Лівий |
Правий |
|
| Інтермодуляційні спотворення + шум, % | 0.04030 |
0.04030 |
| Інтермодуляційні спотворення + шум (A-зваж.), % | 0.03147 |
0.03147 |
Інтермодуляційні спотворення (змінна частота)
Лівий |
Правий |
|
| Інтермодуляційні спотворення + шум на 5000 Гц, | 0.07820 |
0.07820 |
| Інтермодуляційні спотворення + шум на 10000 Гц, | 0.03692 |
0.03692 |
| Інтермодуляційні спотворення + шум на 15000 Гц, | 0.04020 |
0.04020 |
Максимальна потужність
Формула розрахунку |
Значення |
|
| Максимальна потужність, Вт | (Vrms x Vrms) / 4 Ohm |
138 |
Висновки
| З моменту приходу та розвитку підсилювачів на потужних біполярних транзисторах пройшло чимало часу. За цей час
технологія виготовлення потужних польових транзисторів також дуже просунулась вперед і в нашому житті, є цілі
області побутової та промислової електроніки, яка без польових транзисторів просто неможлива. Зі зростанням рівня
та якості потужних польових (силових) транзисторів все більше радіоаматорів намагалися застосувати їх у вихідних
каскадах своїх розробок. В результаті ці спроби увінчалися успіхом, і застосування силових польових транзисторів в
підсилювачах зустрічається не тільки в саморобних розробках, а й у промислових пристроях досить високого рівня.
Резюме: Підсилювач побудований як дешевша версія знаменитого і багатьом улюбленого підсилювача Ланзар. Причому, не дивлячись на певні недоліки польових транзисторів, вони також мають ряд переваг перед польовими: 1. ПТ витримує помітно великі імпульсні навантаження, точніше перевантаження. 2. Відсутність вхідних струмів, у ряді випадків, дозволяє значно спростити каскади, що розгойдують. 3. Параметри менш залежні від температури, до того ж у них велика лінійна ділянка передавальної характеристики. Додатково слід зазначити, що підсилювач побудований саме на квазікомплементарних транзисторах IRFP250N, оскільки N-канальні прилади завдяки особливостям виробництва є більш якісними транзисторами порівняно з їх P-канальними аналогами, причому ця тенденція спостерігається навіть у комплементарних парах. Купити модуль можна у нас у магазині kit-amp.com. Модуль рекомендується для побудови високоякісного та потужного підсилювача потужності, і як доступнішу альтернативу підсилювачу ЛАНЗАР на біполярних вихідних транзисторах. |
Супутні товари
Підсилювач LANZAR, 100W
Підсилювач «Ланзар» побудований за класичною симетричною схемою, попередні каскади якого працюють у класі А, а вихідний каскад у класі АВ.Схема даного підсилювача відома ще з 80-х років, проте широке ..
1820.00грн.
Підсилювач MOSFET, 100W
Після підвищення якості силових МОСФЕТ транзисторів та зниження їхньої ціни, величезна частина радіоаматорів почала замислюватися про застосування даних транзисторів у вихідних каскадах підсилювачів. ..
1470.00грн.
Підсилювач MOSFET, 200W
Після підвищення якості силових МОСФЕТ транзисторів та зниження їхньої ціни, величезна частина радіоаматорів почала замислюватися про застосування даних транзисторів у вихідних каскадах підсилювачів. ..
2260.00грн.
Схожі статті
Підсилювач LANZAR 100W, вимірювання
Тестований пристрій Підсилювач LANZAR 100W Режим роботи 24-bit, 48 kHz Звуковий інтерфейс E-MU1616m Маршрут сигналу E-MU1616m>Підсилювач LANZAR 100W>E-MU161..
Методика вимірювань
Будь-який, більш-менш складний електронний пристрій потребує перевірки працездатності і налагодженняПідсилювач потужності звукової частоти не є винятком і вимірювання характеристик даного пристрою є н..
Підсилювач MOSFET 200W, вимірювання
Тестований пристрій Підсилювач MOSFET 200W Режим роботи 24-bit, 48 kHz Звуковий інтерфейс E-MU1616m Маршрут сигналу E-MU1616m>Підсилювач MOSFET 200W>E-MU161..