fuck-russia
После повышения качества силовых МОСФЕТ транзисторов и снижения их цены, огромная часть радиолюбителей начала задумываться о применении данных транзисторов в выходных каскадах усилителей. И если, первые «полевики» грешили некой замыленностью, то с развитием схем и самих приборов проблема качества звука начала постепенно уходить.
Также следует отметить несомненные преимущества полевых транзисторов перед биполярными:
1. ПТ выдерживает заметно большие импульсные нагрузки, а точнее перегрузки.
2. Отсутствие входных токов, в ряде случаев, позволяет значительно упростить раскачивающие каскады.
3. Параметры менее зависимы от температуры, к тому же у них большой линейный участок передаточной характеристики.
Усилитель собран на 5 парах квазикомплементарных выходных транзисторах IRFP250N (Демонтаж) с несимметричными предварительными каскадами, также модуль оснащен схемой термостабилизации и регулировки тока покоя.
При использовании 8 Ом акустики, напряжение питания можно поднять до 75В (предельное значение) для получения эквивалентной мощности при 4 Ом.
Модуль прост в настройке и требует только выставления тока покоя, в зависимости от напряжения питания. Оптимальным током покоя выходного каскада является 30-60мА, что приблизительно, равняется 100-200мА по питанию модуля в целом. Для регулировки тока покоя закорачивается вход, отключается нагрузка, включается амперметр в разрыв одного из плеч питания и с помощью подстроечного резистора на плате выставляется необходимое значение, после чего нужна пауза 5-10мин. для прогрева радиатора. Следует ориентироваться именно на приемлемую температуру радиатора (+ запас для закрытого корпуса).
Модуль устанавливается на алюминиевый радиаторный профиль и требует активного охлаждения. Точность сверловки отверстий должна быть очень высокого уровня, так как отверстия должны полностью совпадать с отверстиями на печатной плате модуля.
Субъективно, усилитель порадовал качеством звучания, может быть использован для любой акустики, в том числе сабвуферов, подходящим по мощностным параметрам.
Модуль можно рекомендовать для построения высококачественного концертного усилителя для широкополосных акустических систем или НЧ звена.
Измерения
Напряжение питания двухполярное -73В...0...+73В
Нагрузка 4 Ом
Мощность максимальная, Вт 447
Мощность при тестировании, Вт 300
Ток покоя 150mA
Неравномерность АЧХ (в диапазоне 40 Гц - 15 кГц), дБ +0.02, -0.14
Уровень шума, дБ (А) -112,3
Динамические диапазон, дБ (А) 112,5
Гармонические искажения, % 0,0340
Гармонические искажения + шум, дБ(A) -67,2
Интермодуляционные искажения + шум, % 0,0330
Интермодуляции на 10 кГц, % 0,1440
Страница Измерений
Общие характеристики
Вес, кг 0,247
Выходные транзисторы IRFP250N
Класс усилителя AB
Количество каналов mono
Напряжение питания, максимальное (двухполярное/постоянное) DC 70V
Напряжение питания, минимальное (двухполярное/постоянное) DC 30V
Размер модуля ДхШхВ, мм 65x200x40

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
    Плохо           Хорошо
Captcha

Усилитель MOSFET, 500W

  • Производители kitON
  • Код Товара: I5NS-01
  • Наличие: В наличии
  • 2,580.00грн.


Рекомендуемые товары

Рекомендуем почитать

Усилитель SUBWOOFER 500W, измерения

Усилитель SUBWOOFER 500W, измерения

Тестируемое устройство Усилитель SUBWOOFER 500W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель SUBWOOFER 500W>..

Усилитель MOSFET 200W, измерения

Усилитель MOSFET 200W, измерения

Тестируемое устройство Усилитель MOSFET 200W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель MOSFET 200W>E-MU16..

Усилитель MOSFET 500W, измерения

Усилитель MOSFET 500W, измерения

Тестируемое устройство Усилитель MOSFET 500W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель MOSFET 500W>E-MU16..