Тестирование усилителя MOSFET 200W. Измерения, характеристики
| Тестируемое устройство | Усилитель MOSFET 200W |
| Режим работы | 24-bit, 48 kHz |
| Звуковой интерфейс | E-MU1616m |
| Маршрут сигнала | E-MU1616m>Усилитель MOSFET 200W>E-MU1616m |
| Напряжение питания постоянное | -52В...0...+52В |
| Нагрузка | 4 Ом |
| Мощность при тестировании | 150Вт |
| Максимальная мощность | 204Вт |
| Выходные транзисторы | IRFP250N |
| Ток покоя | 150mA |
| Фильтр 20 Гц - 20 кГц | ДА |
| Нормализация сигнала | ДА |
| Изменение уровня | -0.4 дБ / -0.4 дБ |
| Режим МОНО | ДА |
| Частота сигнала калибрации, Гц | 1000 |
| Полярность | правильная/правильная |
Общие результаты
| Неравномерность АЧХ (в диапазоне 40 Гц - 15 кГц), дБ | +0.02, -0.12 |
Очень хорошо |
| Уровень шума, дБ (А) | -107.9 |
Отлично |
| Динамические диапазон, дБ (А) | 108.0 |
Отлично |
| Гармонические искажения, % | 0.021 |
Хорошо |
| Гармонические искажения + шум, дБ(A) | -70.9 |
Средне |
| Интермодуляционные искажения + шум, % | 0.015 |
Очень хорошо |
| Интермодуляции на 10 кГц, % | 0.137 |
Средне |
| Общая оценка | Очень хорошо |
Частотная характеристика
Левый |
Правый |
|
| От 20 Гц до 20 кГц, дБ | -0.24, +0.02 |
-0.24, +0.02 |
| От 40 Гц до 15 кГц, дБ | -0.12, +0.02 |
-0.12, +0.02 |
Уровень шума
Левый |
Правый |
|
| Мощность RMS, дБ | -94.7 |
-94.7 |
| Мощность RMS, дБ (A) | -107.9 |
-107.9 |
| Пиковый уровень, дБ | -81.8 |
-81.8 |
| Смещение DC, % | -0.0 |
-0.0 |
Динамический диапазон
Левый |
Правый |
|
| Динамический диапазон, дБ | +94.7 |
+94.7 |
| Динамический диапазон, дБ (А) | +108.0 |
+108.0 |
| Смещение DC, % | +0.00 |
-0.00 |
Гармонические искажения + шум (-3 дБ)
Левый |
Правый |
|
| Гармонические искажения, % | 0.02116 |
0.02116 |
| Гармонические искажения + шум , % | 0.02167 |
0.02167 |
| Гармонические искажения + шум (A-взвеш.), % | 0.02835 |
0.02835 |
Интермодуляционные искажения
Левый |
Правый |
|
| Интермодуляционные искажения + шум, % | 0.01514 |
0.01514 |
| Интермодуляционные искажения + шум (A-взвеш.), % | 0.01112 |
0.01112 |
Интермодуляционные искажения (переменная частота)
Левый |
Правый |
|
| Интермодуляционные искажения + шум на 5000 Гц, | 0.04832 |
0.04832 |
| Интермодуляционные искажения + шум на 10000 Гц, | 0.11112 |
0.11112 |
| Интермодуляционные искажения + шум на 15000 Гц, | 0.25220 |
0.25220 |
Максимальная мощность
Формула расчета |
Значение |
|
| Максимальная мощность, Вт | (Vrms x Vrms) / 4 Ohm |
204 |
Выводы
| С момента прихода и развития усилителей на мощных биполярных транзисторах прошло достаточно много времени. За это время технология изготовления мощных полевых транзисторов также очень сильно продвинулась вперед и в нашей жизни, есть целые области бытовой и промышленной электроники, которая без полевых транзисторов просто не возможна. С ростом уровня и качества мощных полевых (силовых) транзисторов все больше радиолюбителей пытались применить их в выходных каскадах своих разработок. В результате эти попытки увенчались успехом, и применение силовых полевых транзисторов в усилителях встречается не только в самодельных разработках, но и в промышленных устройствах достаточно высокого уровня. |
|
Резюме: Усилитель построен как более дешевая версия знаменитого и многим любимого усилителя ЛАНЗАР. Причем, не смотря на определенные недостатки полевых транзисторов, они также обладают рядом преимуществ перед полевыми: 1. ПТ выдерживает заметно большие импульсные нагрузки, а точнее перегрузки. 2. Отсутствие входных токов, в ряде случаев, позволяет значительно упростить раскачивающие каскады. 3. Параметры менее зависимы от температуры, к тому же у них большой линейный участок передаточной Дополнительно следует отметить, что усилитель построен именно на квазикомплементарных транзисторах IRFP250N, поскольку N-канальные приборы, благодаря особенностям производства являются более качественными транзисторами по сравнению с их P-канальными аналогами, причем данная тенденция наблюдается даже в комплементарных парах. Купить модуль можно у нас в магазине kit-amp.com. Модуль рекомендуется для построения высококачественного и мощного усилителя мощности, и как более доступную альтернативу усилителю ЛАНЗАР на биполярных выходных транзисторах. |
Сопутствующие Товары
Усилитель MOSFET AUDIOPHILE Premium, 200W
Модуль усилителя повышенной мощности, высокого уровня и качества Premium. Усилитель разработан специально для «искушенных» любителей качественного аудио с применением полевых транзисторов также для ау..
3960.00грн.
Усилитель LANZAR, 200W
Усилитель «Ланзар» построен по классической симметричной схеме, предварительные каскады которого работают в классе А, а выходной каскад в классе АВ.Схема данного усилителя известна еще с 80-х годов, о..
2960.00грн.
Усилитель MOSFET, 200W
После повышения качества силовых МОСФЕТ транзисторов и снижения их цены, огромная часть радиолюбителей начала задумываться о применении данных транзисторов в выходных каскадах усилителей. И если, перв..
2260.00грн.
Похожие статьи
Методика измерений
Любое, более или менее сложное электронное устройство требует проверки работоспособности и наладки Усилитель мощности звуковой частоты не является исключением и измерения характеристик данн..
Усилитель LANZAR 200W, измерения
Тестируемое устройство Усилитель LANZAR 200W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель LANZAR 200W>E-MU16..
Усилитель MOSFET 100W, измерения
Тестируемое устройство Усилитель MOSFET 100W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель MOSFET 100W>E-MU16..
Усилитель MOSFET 500W, измерения
Тестируемое устройство Усилитель MOSFET 500W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель MOSFET 500W>E-MU16..