Тестирование усилителя MOSFET 500W. Измерения, характеристики
| Тестируемое устройство | Усилитель MOSFET 500W |
| Режим работы | 24-bit, 48 kHz |
| Звуковой интерфейс | E-MU1616m |
| Маршрут сигнала | E-MU1616m>Усилитель MOSFET 500W>E-MU1616m |
| Напряжение питания постоянное | -73В...0...+73В |
| Нагрузка | 4 Ом |
| Мощность при тестировании | 300Вт |
| Максимальная мощность | 447Вт |
| Выходные транзисторы | IRFP250N |
| Ток покоя | 150mA |
| Фильтр 20 Гц - 20 кГц | ДА |
| Нормализация сигнала | ДА |
| Изменение уровня | -0.5 дБ / -0.5 дБ |
| Режим МОНО | ДА |
| Частота сигнала калибрации, Гц | 1000 |
| Полярность | правильная/правильная |
Общие результаты
| Неравномерность АЧХ (в диапазоне 40 Гц - 15 кГц), дБ | +0.02, -0.14 |
Очень хорошо |
| Уровень шума, дБ (А) | -112.3 |
Отлично |
| Динамические диапазон, дБ (А) | 112.5 |
Отлично |
| Гармонические искажения, % | 0.034 |
Хорошо |
| Гармонические искажения + шум, дБ(A) | -67.2 |
Средне |
| Интермодуляционные искажения + шум, % | 0.033 |
Хорошо |
| Интермодуляции на 10 кГц, % | 0.144 |
Средне |
| Общая оценка | Хорошо |
Частотная характеристика
Левый |
Правый |
|
| От 20 Гц до 20 кГц, дБ | -0.26, +0.02 |
-0.26, +0.02 |
| От 40 Гц до 15 кГц, дБ | -0.14, +0.02 |
-0.14, +0.02 |
Уровень шума
Левый |
Правый |
|
| Мощность RMS, дБ | -107.3 |
-107.3 |
| Мощность RMS, дБ (A) | -112.3 |
-112.3 |
| Пиковый уровень, дБ | -79.9 |
-79.9 |
| Смещение DC, % | -0.0 |
-0.0 |
Динамический диапазон
Левый |
Правый |
|
| Динамический диапазон, дБ | +107.8 |
+107.8 |
| Динамический диапазон, дБ (А) | +112.5 |
+112.5 |
| Смещение DC, % | +0.00 |
-0.00 |
Гармонические искажения + шум (-3 дБ)
Левый |
Правый |
|
| Гармонические искажения, % | 0.03394 |
0.03394 |
| Гармонические искажения + шум , % | 0.03497 |
0.03497 |
| Гармонические искажения + шум (A-взвеш.), % | 0.04390 |
0.04390 |
Интермодуляционные искажения
Левый |
Правый |
|
| Интермодуляционные искажения + шум, % | 0.03312 |
0.03312 |
| Интермодуляционные искажения + шум (A-взвеш.), % | 0.02249 |
0.02249 |
Интермодуляционные искажения (переменная частота)
Левый |
Правый |
|
| Интермодуляционные искажения + шум на 5000 Гц, | 0.04673 |
0.04673 |
| Интермодуляционные искажения + шум на 10000 Гц, | 0.08178 |
0.08178 |
| Интермодуляционные искажения + шум на 15000 Гц, | 0.30437 |
0.30437 |
Максимальная мощность
Формула расчета |
Значение |
|
| Максимальная мощность, Вт | (Vrms x Vrms) / 4 Ohm |
447 |
Выводы
| С момента прихода и развития усилителей на мощных биполярных транзисторах прошло достаточно много времени. За это время технология изготовления мощных полевых транзисторов также очень сильно продвинулась вперед и в нашей жизни, есть целые области бытовой и промышленной электроники, которая без полевых транзисторов просто не возможна. С ростом уровня и качества мощных полевых (силовых) транзисторов все больше радиолюбителей пытались применить их в выходных каскадах своих разработок. В результате эти попытки увенчались успехом, и применение силовых полевых транзисторов в усилителях встречается не только в самодельных разработках, но и в промышленных устройствах достаточно высокого уровня. |
|
Резюме: Усилитель построен как более дешевая и очень мощная альтернатива знаменитого и многим любимого усилителя ЛАНЗАР. Причем, не смотря на определенные недостатки полевых транзисторов, они также обладают рядом преимуществ перед полевыми: 1. ПТ выдерживает заметно большие импульсные нагрузки, а точнее перегрузки. 2. Отсутствие входных токов, в ряде случаев, позволяет значительно упростить раскачивающие каскады. 3. Параметры менее зависимы от температуры, к тому же у них большой линейный участок передаточной Дополнительно следует отметить, что усилитель построен именно на квазикомплементарных транзисторах IRFP250N, поскольку N-канальные приборы, благодаря особенностям производства являются более качественными транзисторами по сравнению с их P-канальными аналогами, причем данная тенденция наблюдается даже в комплементарных парах. Купить модуль можно у нас в магазине kit-amp.com. Модуль рекомендуется для построения высококачественного и мощного усилителя мощности, и как более доступную альтернативу усилителю ЛАНЗАР на биполярных выходных транзисторах. |
Сопутствующие Товары
Усилитель MOSFET, 200W
После повышения качества силовых МОСФЕТ транзисторов и снижения их цены, огромная часть радиолюбителей начала задумываться о применении данных транзисторов в выходных каскадах усилителей. И если, перв..
1,810.00грн.
Усилитель MOSFET, 500W
После повышения качества силовых МОСФЕТ транзисторов и снижения их цены, огромная часть радиолюбителей начала задумываться о применении данных транзисторов в выходных каскадах усилителей. И если, перв..
2,580.00грн.
Усилитель SUBWOOFER, 500W
Простой, мощный и универсальный, транзисторный усилитель, работающий в классе АВ.Схема усилителя симметрична, входной каскад выполнен на одноканальном ОУ.Усилитель собран на 5 парах выходных транзисто..
4,190.00грн.
Похожие статьи
Методика измерений
Любое, более или менее сложное электронное устройство требует проверки работоспособности и наладки Усилитель мощности звуковой частоты не является исключением и измерения характеристик данн..
Усилитель SUBWOOFER 500W, измерения
Тестируемое устройство Усилитель SUBWOOFER 500W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель SUBWOOFER 500W>..
Усилитель MOSFET 200W, измерения
Тестируемое устройство Усилитель MOSFET 200W Режим работы 24-bit, 48 kHz Звуковой интерфейс E-MU1616m Маршрут сигнала E-MU1616m>Усилитель MOSFET 200W>E-MU16..