После повышения качества силовых МОСФЕТ транзисторов и снижения их цены, огромная часть радиолюбителей начала задумываться о применении данных транзисторов в выходных каскадах усилителей. И если, первые «полевики» грешили некой замыленностью, то с развитием схем и самих приборов проблема качества звука начала постепенно уходить.
Также следует отметить несомненные преимущества полевых транзисторов перед биполярными:
1. ПТ выдерживает заметно большие импульсные нагрузки, а точнее перегрузки.
2. Отсутствие входных токов, в ряде случаев, позволяет значительно упростить раскачивающие каскады.
3. Параметры менее зависимы от температуры, к тому же у них большой линейный участок передаточной характеристики.
Усилитель собран на 1 паре квазикомплементарных выходных транзисторах IRFP250N (Демонтаж) с несимметричными предварительными каскадами, также модуль оснащен схемой термостабилизации и регулировки тока покоя.
При использовании 8 Ом акустики, напряжение питания можно поднять до 45-50В для получения эквивалентной мощности при 4 Ом.
Модуль прост в настройке и требует только выставления тока покоя, в зависимости от напряжения питания. Оптимальным током покоя выходного каскада является 60-120мА, что приблизительно, равняется 100-200мА по питанию модуля в целом. Для регулировки тока покоя закорачивается вход, отключается нагрузка, включается амперметр в разрыв одного из плеч питания и с помощью подстроечного резистора на плате выставляется необходимое значение, после чего нужна пауза 5-10мин. для прогрева радиатора. Следует ориентироваться именно на приемлемую температуру радиатора (+ запас для закрытого корпуса).
Для пассивного охлаждения при напряжении питания близкого к максимальному, требуется радиатор не менее 750кв.см
Субъективно, усилитель порадовал качеством звучания, может быть использован для любой акустики, подходящей по мощностным параметрам и рассматриваться как альтернатива усилителям на микросхемах.
Модуль можно рекомендовать для построения высококачественного усилителя мощности, а также для знакомства с полевыми транзисторами на выходе.